收藏本站
New Product
Si4226DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
N otes:
P DM
t 1
t 1
t 2
0.02
t 2
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 110 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
0.01
Single Pulse
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?69980 .
www.vishay.com
6
Document Number: 69980
S09-0392-Rev. B, 09-Mar-09
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4230DY-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
SI4310BDY-T1-E3 MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 14SOIC
SI4313-B1-FM IC RX FSK 315-915MHZ 20VQFN
SI4320-J1-FT IC RCVR FSK 915MHZ 5.4V 16-TSSOP
SI4322-A0-FT IC RX FSK UNI 868/915MHZ 16TSSOP
SI4324DY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4330-B1-FM IC RCVR ISM 960MHZ 3.6V 20-QFN
SI4354DY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
相关代理商/技术参数
SI4226DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 25V 8.0A 3.2W 19.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4228DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 25 V (D-S) MOSFET
SI4228DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 8A SO8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
SI4228DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 25 Volts 8 Amps 3.1 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
Si4230DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4230DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 8.0A 3.2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4231-A0-FM 功能描述:射频发射器 Transmitters - IA4231 RoHS:否 制造商:Micrel 类型:ASK Transmitter 封装 / 箱体:SOT-23-6 工作频率:300 MHz to 450 MHz 封装:Reel
SI4232-A0-FM 功能描述:射频发射器 Transmitters - IA4232 RoHS:否 制造商:Micrel 类型:ASK Transmitter 封装 / 箱体:SOT-23-6 工作频率:300 MHz to 450 MHz 封装:Reel